全自动晶圆外延前后清洗机去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升，从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去，而把回附的数量降到了z低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势，先进的静态可循环兆声清洗槽会有更大数量的颗粒回附，并且因此需要更多的去除这些颗粒。
全自动晶圆外延前后清洗机产品结构
1、采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业
2、采用第三代技术，全面完善的防酸防腐措施，保护到机器每一个角落
3、全自动晶圆外延前后清洗机全自动补液技术
4、*的硅片干燥前处理技术，保证硅片干燥不留任何水痕
5、成熟的硅片干燥工艺，多种先进技术集于一身
6、彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置多工艺方式转换
全自动晶圆外延前后清洗机特点：
1、械手或多机械手组合，实现工位工艺要求。
2、PLC全程序控制与触摸屏操作界面，操作便利。
3、自动上下料台，准确上卸工件。
4、全自动晶圆外延前后清洗机净化烘干槽，*的烘干前处理技术，工作干燥无水渍。
5、全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。
6、具备抛动清洗功能，保证清洗均匀。
7、全封闭清洗均匀。
8、全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。
全自动晶圆外延前后清洗机应用范围
1、炉前清洗：扩散前清洗。
2、光刻后清洗：除去光刻胶。
3、氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。
4、全自动晶圆外延前后清洗机抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。
5、外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。
7、离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。
8、全自动晶圆外延前后清洗机扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。
9、CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。
10、附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物